SiCの理論限界に迫る低損失 AlN系SBDの動作実証に成功

東京大学とNTTは、損失が極めて小さい窒化アルミニウム(AlN)系ショットキーバリアダイオード(SBD)を開発し、動作実証に成功した。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小となるオン抵抗0.34mΩcm2および、逆方向耐圧400V(最大破壊電界8MV/cm)を達成した。この値はSiCやGaNの理論限界に迫るものだという。